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STD878T4

STD878T4

참조 용

부품 번호 STD878T4
PNEDA 부품 번호 STD878T4
설명 TRANS NPN 30V 5A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 5,094
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STD878T4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD878T4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-단일
데이터 시트
STD878T4, STD878T4 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 255.4 KB)
PDFSTN878 데이터 시트 표지
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STD878T4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전류-수집기 (Ic) (최대)5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic350mV @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대)10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce100 @ 500mA, 1V
전력-최대15W
주파수-전환-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK

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ON Semiconductor

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

80V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 100mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 2V

전력-최대

625mW

주파수-전환

200MHz

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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트랜지스터 유형

NPN

전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

50V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

300mV @ 50mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

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전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

150V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

500mV @ 1mA, 10mA

전류-수집기 차단 (최대)

100nA (ICBO)

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V

전력-최대

800mW

주파수-전환

120MHz

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN - Darlington

전류-수집기 (Ic) (최대)

500mA

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

60V

Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

전류-수집기 차단 (최대)

500nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

전력-최대

625mW

주파수-전환

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

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Diodes Incorporated

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전류-수집기 (Ic) (최대)

2A

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic

290mV @ 20mA, 1A

전류-수집기 차단 (최대)

100nA

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 800mA, 1.5 V

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