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STD95N2LH5

STD95N2LH5

참조 용

부품 번호 STD95N2LH5
PNEDA 부품 번호 STD95N2LH5
설명 MOSFET N-CH 25V 80A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
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재고 있음 5,472
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STD95N2LH5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STD95N2LH5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STD95N2LH5, STD95N2LH5 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 611.08 KB)
PDFSTP95N2LH5 데이터 시트 표지
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STD95N2LH5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ V
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13.4nC @ 5V
Vgs (최대)±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1817pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)70W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지DPAK
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

P-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Ta), 15A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 8V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

834pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

800mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

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STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PolarPak®

패키지 / 케이스

PolarPak®

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

97A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.95V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1585pF @ 12V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

64W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

ATP213-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

58nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3150pF @ 20V

FET 기능

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전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

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