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STF12N120K5

STF12N120K5

참조 용

부품 번호 STF12N120K5
PNEDA 부품 번호 STF12N120K5
설명 MOSFET N-CH 1200V 12A TO-220FP
제조업체 STMicroelectronics
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STF12N120K5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STF12N120K5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STF12N120K5, STF12N120K5 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 407.87 KB)
PDFSTFW12N120K5 데이터 시트 표지
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STF12N120K5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™ K5
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs690mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs44.2nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1370pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)40W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FP
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolMOS™ CE

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

13V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

190mOhm @ 6.2A, 13V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 510µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1137pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32W (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220 Full Pack

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

570W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

패키지 / 케이스

TO-247-3

TPH3208LDG

Transphorm

제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

3-PQFN (8x8)

패키지 / 케이스

3-PowerDFN

AOT502

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

33V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1450pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta), 79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

46nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1320pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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