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STF2LN60K3

STF2LN60K3

참조 용

부품 번호 STF2LN60K3
PNEDA 부품 번호 STF2LN60K3
설명 MOSFET N CH 600V 2A TO-220FP
제조업체 STMicroelectronics
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STF2LN60K3 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STF2LN60K3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STF2LN60K3, STF2LN60K3 데이터 시트 (총 페이지: 20, 크기: 1,065.77 KB)
PDFSTU2LN60K3 데이터 시트 표지
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STF2LN60K3 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH3™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds235pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)20W (Tc)
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FP
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

130A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 150µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5150pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-262

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

FDS7064N7

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 16.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3355pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF820ASTRL

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTD20N03L27-001

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

27mOhm @ 10A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1260pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.75W (Ta), 74W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

NTMFS4C024NT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21.7A (Ta), 78A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1972pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.57W (Ta), 33W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

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