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STF7LN80K5

STF7LN80K5

참조 용

부품 번호 STF7LN80K5
PNEDA 부품 번호 STF7LN80K5
설명 MOSFET N-CH 800V 5A TO-220FP
제조업체 STMicroelectronics
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재고 있음 22,692
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STF7LN80K5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STF7LN80K5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STF7LN80K5, STF7LN80K5 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 402.41 KB)
PDFSTF7LN80K5 데이터 시트 표지
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STF7LN80K5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈MDmesh™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds270pF @ 100V
FET 기능-
전력 손실 (최대)25W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FP
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270mOhm @ 8.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2300pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

190W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

186nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

735W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264AA (IXFK)

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

AUIRFS8408-7TRL

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

315nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10250pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

294W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

FDD86369

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.9mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2530pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252)

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TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTB23N03R

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.76nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

37.5W (Tj)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

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