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STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B

참조 용

부품 번호 STG3P2M10N60B
PNEDA 부품 번호 STG3P2M10N60B
설명 IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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STG3P2M10N60B 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STG3P2M10N60B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
STG3P2M10N60B, STG3P2M10N60B 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 445.3 KB)
PDFSTG3P2M10N60B 데이터 시트 표지
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STG3P2M10N60B 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SEMITOP®
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)19A
전력-최대56W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
전류-수집기 차단 (최대)10µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce0.72nF @ 25V
입력Single Phase Bridge Rectifier
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SEMITOP®2
공급자 장치 패키지SEMITOP®2

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 90A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

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작동 온도

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

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전력-최대

90W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

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Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

695W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E3

공급자 장치 패키지

E3

VS-GB70LA60UF

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

111A

전력-최대

447W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.44V @ 15V, 70A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전력-최대

208W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.65nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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