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STGB10H60DF

STGB10H60DF

참조 용

부품 번호 STGB10H60DF
PNEDA 부품 번호 STGB10H60DF
설명 IGBT 600V 20A 115W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGB10H60DF 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB10H60DF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB10H60DF, STGB10H60DF 데이터 시트 (총 페이지: 24, 크기: 1,730.11 KB)
PDFSTGF10H60DF 데이터 시트 표지
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STGB10H60DF 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 10A
전력-최대115W
에너지 전환83µJ (on), 140µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지57nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C19.5ns/103ns
테스트 조건400V, 10A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)107ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

267W

에너지 전환

1.16mJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/37ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

SGP30N60XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

112A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.29mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/291ns

테스트 조건

400V, 30A, 11Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGWT40HP65FB

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

HB

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

2.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/250ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263HV

FGL60N100BNTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 60A

전력-최대

180W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

275nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

140ns/630ns

테스트 조건

600V, 60A, 51Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.2µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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