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STGB20NB41LZT4

STGB20NB41LZT4

참조 용

부품 번호 STGB20NB41LZT4
PNEDA 부품 번호 STGB20NB41LZT4
설명 IGBT 442V 40A 200W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGB20NB41LZT4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB20NB41LZT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB20NB41LZT4, STGB20NB41LZT4 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 257.49 KB)
PDFSTGB20NB41LZT4 데이터 시트 표지
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  • STGB20NB41LZT4 Distributor

STGB20NB41LZT4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)442V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 4.5V, 20A
전력-최대200W
에너지 전환5mJ (on), 12.9mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지46nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C1µs/12.1µs
테스트 조건320V, 20A, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

130W

에너지 전환

81µJ (on), 125µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/90ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

FGH40T70SHD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.15mJ (on), 271µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

69nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/66ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 20A

전력-최대

227W

에너지 전환

470µJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/122ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

322ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

STGB30NC60KT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

125A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

185W

에너지 전환

350µJ (on), 435µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

96nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/120ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IXGY2N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

8A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.5V @ 15V, 5A

전력-최대

25W

에너지 전환

600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

9nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/300ns

테스트 조건

960V, 2A, 150Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

TO-252AA

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