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STGB30NC60WT4

STGB30NC60WT4

참조 용

부품 번호 STGB30NC60WT4
PNEDA 부품 번호 STGB30NC60WT4
설명 IGBT 600V 60A 200W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGB30NC60WT4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB30NC60WT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB30NC60WT4, STGB30NC60WT4 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 465.93 KB)
PDFSTGB30NC60WT4 데이터 시트 표지
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  • STGB30NC60WT4 Distributor

STGB30NC60WT4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
전력-최대200W
에너지 전환305µJ (on), 181µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지102nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C29.5ns/118ns
테스트 조건390V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

62.5W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

IPAK (TO-251)

IRG4PC50UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

전력-최대

200W

에너지 전환

990µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/140ns

테스트 조건

480V, 27A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

RJH60D7BDPQ-E0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

700µJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/180ns

테스트 조건

300V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGH50T65SQD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

268W

에너지 전환

180µJ (on), 45µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

99nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/105ns

테스트 조건

400V, 12.5A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

SGS6N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

전력-최대

22W

에너지 전환

57µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/60ns

테스트 조건

300V, 3A, 80Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

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PIC18F2455-I/SO

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FDS6910

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CAY10-330J4LF

CAY10-330J4LF

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SDP1108-R

SDP1108-R

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