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STGB3NC120HDT4

STGB3NC120HDT4

참조 용

부품 번호 STGB3NC120HDT4
PNEDA 부품 번호 STGB3NC120HDT4
설명 IGBT 1200V 14A 75W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGB3NC120HDT4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGB3NC120HDT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGB3NC120HDT4, STGB3NC120HDT4 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 763.99 KB)
PDFSTGF3NC120HD 데이터 시트 표지
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STGB3NC120HDT4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 3A
전력-최대75W
에너지 전환236µJ (on), 290µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/118ns
테스트 조건800V, 3A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)51ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

234W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/120ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

HGTG18N120BND

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

전력-최대

390W

에너지 전환

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/170ns

테스트 조건

960V, 18A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

129A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

전력-최대

337W

에너지 전환

875µJ (on), 425µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/82ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

SGH80N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

195W

에너지 전환

570µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

175nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/90ns

테스트 조건

300V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

STGWA25H120DF2

STMicroelectronics

제조업체

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

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375W

에너지 전환

600µJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/130ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

303ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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