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STGBL6NC60DIT4

STGBL6NC60DIT4

참조 용

부품 번호 STGBL6NC60DIT4
PNEDA 부품 번호 STGBL6NC60DIT4
설명 IGBT 600V 14A 56W D2PAK
제조업체 STMicroelectronics
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STGBL6NC60DIT4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGBL6NC60DIT4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGBL6NC60DIT4, STGBL6NC60DIT4 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 639.59 KB)
PDFSTGBL6NC60DIT4 데이터 시트 표지
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STGBL6NC60DIT4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 3A
전력-최대56W
에너지 전환32µJ (on), 24µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지12nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6.7ns/46ns
테스트 조건390V, 3A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)23ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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APT75GP120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

전력-최대

1042W

에너지 전환

1620µJ (on), 2500µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

320nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/163ns

테스트 조건

600V, 75A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

APT50GP60B2DQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

190A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

625W

에너지 전환

465µJ (on), 635µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/85ns

테스트 조건

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

APT30GP60BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

463W

에너지 전환

260µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

1.16mJ (on), 470µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/93ns

테스트 조건

600V, 20A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

44A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

전력-최대

156W

에너지 전환

140µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/230ns

테스트 조건

400V, 10A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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