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STGF10NB60SD

STGF10NB60SD

참조 용

부품 번호 STGF10NB60SD
PNEDA 부품 번호 STGF10NB60SD
설명 IGBT 600V 23A 25W TO220FP
제조업체 STMicroelectronics
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STGF10NB60SD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGF10NB60SD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGF10NB60SD, STGF10NB60SD 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 426.59 KB)
PDFSTGP10NB60SD 데이터 시트 표지
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STGF10NB60SD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)23A
전류-수집기 펄스 (Icm)80A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.75V @ 15V, 10A
전력-최대25W
에너지 전환600µJ (on), 5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지33nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C700ns/1.2µs
테스트 조건480V, 10A, 1kOhm, 15V
역 복구 시간 (trr)37ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220FP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

192W

에너지 전환

3.1mJ (on), 700µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

86ns/235ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IXSH30N60B

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/150ns

테스트 조건

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXSH)

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

550A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

전력-최대

2300W

에너지 전환

3.45mJ (on), 2.86mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

460nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/190ns

테스트 조건

400V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

AIHD15N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

370µJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/183ns

테스트 조건

400V, 15A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

FGD3N60LSDTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 10V, 3A

전력-최대

40W

에너지 전환

250µJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12.5nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/600ns

테스트 조건

480V, 3A, 470Ohm, 10V

역 복구 시간 (trr)

234ns

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

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