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STGF4M65DF2

STGF4M65DF2

참조 용

부품 번호 STGF4M65DF2
PNEDA 부품 번호 STGF4M65DF2
설명 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
제조업체 STMicroelectronics
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STGF4M65DF2 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGF4M65DF2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGF4M65DF2, STGF4M65DF2 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 977.33 KB)
PDFSTGF4M65DF2 데이터 시트 표지
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STGF4M65DF2 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈M
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전류-수집기 펄스 (Icm)16A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 4A
전력-최대23W
에너지 전환40µJ (on), 136µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지15.2nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/86ns
테스트 조건400V, 4A, 47Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)133ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220FP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9.4A

전류-수집기 펄스 (Icm)

19A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 4A

전력-최대

50W

에너지 전환

131µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/237ns

테스트 조건

400V, 4A, 67Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3

IKP20N60TAHKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

전력-최대

166W

에너지 전환

770µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/199ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-1

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

330A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 55A

전력-최대

200W

에너지 전환

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/365ns

테스트 조건

960V, 55A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

FGA70N30TTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 20A

전력-최대

201W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 60A

전력-최대

540W

에너지 전환

1.4mJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/320ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

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