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STGP7NC60H

STGP7NC60H

참조 용

부품 번호 STGP7NC60H
PNEDA 부품 번호 STGP7NC60H
설명 IGBT 600V 25A 80W TO220
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,132
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STGP7NC60H 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGP7NC60H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGP7NC60H, STGP7NC60H 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 790.55 KB)
PDFSTGP7NC60H 데이터 시트 표지
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STGP7NC60H 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)25A
전류-수집기 펄스 (Icm)50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 7A
전력-최대80W
에너지 전환95µJ (on), 115µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지35nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18.5ns/72ns
테스트 조건390V, 7A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

850µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXBF40N160

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

7.1V @ 15V, 20A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

130nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

960V, 25A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

i4-Pac™-5 (3 Leads)

공급자 장치 패키지

ISOPLUS i4-PAC™

STGP30NC60S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

전력-최대

175W

에너지 전환

300µJ (on), 1.28mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

96nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21.5ns/180ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

FGY60T120SQDN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 60A

전력-최대

517W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

311nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

52ns/296ns

테스트 조건

600V, 60A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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ON Semiconductor

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

전력-최대

160W

에너지 전환

320µJ (on), 356µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

42nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/44ns

테스트 조건

300V, 15A, 13Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

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