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STGW50HF60SD

STGW50HF60SD

참조 용

부품 번호 STGW50HF60SD
PNEDA 부품 번호 STGW50HF60SD
설명 IGBT 600V 110A 284W TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $52.2364
100 ---------- $49.7878
250 ---------- $47.3393
500 ---------- $44.8907
750 ---------- $42.8502
1,000 ---------- $40.8097
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STGW50HF60SD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW50HF60SD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW50HF60SD, STGW50HF60SD 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 759.86 KB)
PDFSTGW50HF60SD 데이터 시트 표지
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STGW50HF60SD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)110A
전류-수집기 펄스 (Icm)130A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.45V @ 15V, 30A
전력-최대284W
에너지 전환250µJ (on), 4.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C50ns/220ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)67ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

320A

전류-수집기 펄스 (Icm)

800A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전력-최대

1500W

에너지 전환

9.7mJ (on), 21.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

400nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/340ns

테스트 조건

960V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

54ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

STGWT20V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

200µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

38ns/149ns

테스트 조건

400V, 20A, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

APT100GN120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

245A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전력-최대

960W

에너지 전환

11mJ (on), 9.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

540nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/615ns

테스트 조건

800V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

IRG7CH73UED-R

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

STGW30V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

전력-최대

258W

에너지 전환

383µJ (on), 233µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

163nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/189ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

53ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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