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STGW60H65DFB-4

STGW60H65DFB-4

참조 용

부품 번호 STGW60H65DFB-4
PNEDA 부품 번호 STGW60H65DFB-4
설명 IGBT
제조업체 STMicroelectronics
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STGW60H65DFB-4 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW60H65DFB-4
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW60H65DFB-4, STGW60H65DFB-4 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 551.64 KB)
PDFSTGW60H65DFB-4 데이터 시트 표지
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STGW60H65DFB-4 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈HB
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)80A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
전력-최대375W
에너지 전환346µJ (on), 1.161mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지306nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C65ns/261ns
테스트 조건400V, 60A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-4
공급자 장치 패키지TO-247-4L

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

463W

에너지 전환

260µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

70nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

390V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGF15M65DF2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

31W

에너지 전환

90µJ (on), 450µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/93ns

테스트 조건

400V, 15A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

142ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

FGP20N60UFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

165W

에너지 전환

380µJ (on), 260µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/87ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

RGTH50TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

174W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/94ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

230µJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/200ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

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