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STGW60H65F

STGW60H65F

참조 용

부품 번호 STGW60H65F
PNEDA 부품 번호 STGW60H65F
설명 IGBT 650V 120A 360W TO247
제조업체 STMicroelectronics
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STGW60H65F 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW60H65F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW60H65F, STGW60H65F 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 1,429.56 KB)
PDFSTGW60H65F 데이터 시트 표지
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STGW60H65F 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 60A
전력-최대360W
에너지 전환750µJ (on), 1.05mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지217nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C65ns/180ns
테스트 조건400V, 60A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 20A

전력-최대

180W

에너지 전환

1.06mJ (on), 620µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

85nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/160ns

테스트 조건

600V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

105ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

STGB6NC60HD-1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 3A

전력-최대

56W

에너지 전환

20µJ (on), 68µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.6nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/76ns

테스트 조건

390V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

21ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

I2PAK

AIHD15N60RATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

250W

에너지 전환

370µJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/183ns

테스트 조건

400V, 15A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

PG-TO252-3-313

SGW25N120FKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

46A

전류-수집기 펄스 (Icm)

84A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 25A

전력-최대

313W

에너지 전환

3.7mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/730ns

테스트 조건

800V, 25A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

IXBH12N300

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

전력-최대

160W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

62nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.4µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

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