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STGWA35HF60WDI

STGWA35HF60WDI

참조 용

부품 번호 STGWA35HF60WDI
PNEDA 부품 번호 STGWA35HF60WDI
설명 IGBT 600V 70A 260W TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 22,632
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
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STGWA35HF60WDI 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWA35HF60WDI
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWA35HF60WDI, STGWA35HF60WDI 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 1,049.81 KB)
PDFSTGWA35HF60WDI 데이터 시트 표지
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  • STGWA35HF60WDI Distributor

STGWA35HF60WDI 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 20A
전력-최대260W
에너지 전환185µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/175ns
테스트 조건390V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)85ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

전력-최대

350W

에너지 전환

2.3mJ (on), 1.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

315nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/190ns

테스트 조건

600V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

170ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

APT20GF120BRDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

200W

에너지 전환

895µJ (on), 840µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/120ns

테스트 조건

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRGI4085-111PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

28A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 28V, 15A

전력-최대

38W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

48ns/180ns

테스트 조건

196V, 25A, 10Ohm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

STGP20H60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

209µJ (on), 261µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42.5ns/177ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

FGB7N60UNDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 7A

전력-최대

83W

에너지 전환

99µJ (on), 104µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

5.9ns/32.3ns

테스트 조건

400V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

32.3ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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