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STGWT30V60F

STGWT30V60F

참조 용

부품 번호 STGWT30V60F
PNEDA 부품 번호 STGWT30V60F
설명 IGBT 600V 60A 260W TO3PF
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 15,600
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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STGWT30V60F 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWT30V60F
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWT30V60F, STGWT30V60F 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,471.93 KB)
PDFSTGFW30V60F 데이터 시트 표지
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STGWT30V60F 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 30A
전력-최대260W
에너지 전환383µJ (on), 233µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지163nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C45ns/189ns
테스트 조건400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/152ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

RGS80TSX2HRC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

555W

에너지 전환

3mJ (on), 3.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

104nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

49ns/199ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

IRG7CH50K10EF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/280ns

테스트 조건

600V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

NGB8207NT4G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

365V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 4V, 20A

전력-최대

165W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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STGB12NB60KDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 12A

전력-최대

125W

에너지 전환

258µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

54nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/96ns

테스트 조건

480V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

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