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STGWT80H65FB

STGWT80H65FB

참조 용

부품 번호 STGWT80H65FB
PNEDA 부품 번호 STGWT80H65FB
설명 IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
제조업체 STMicroelectronics
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STGWT80H65FB 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGWT80H65FB
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGWT80H65FB, STGWT80H65FB 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,470.34 KB)
PDFSTGW80H65FB 데이터 시트 표지
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STGWT80H65FB 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 80A
전력-최대469W
에너지 전환2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지414nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C84ns/280ns
테스트 조건400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

34A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 7A

전력-최대

125W

에너지 전환

55µJ (on), 60µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

11ns/100ns

테스트 조건

390V, 7A, 25Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

FGH75T65UPD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전력-최대

375W

에너지 전환

3.68mJ (on), 1.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/216ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRG4PC40FD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

49A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 27A

전력-최대

160W

에너지 전환

950µJ (on), 2.01mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

63ns/230ns

테스트 조건

480V, 27A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

APT25GR120BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

전력-최대

521W

에너지 전환

742µJ (on), 427µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

203nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/122ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

APT25GP120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

69A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

500µJ (on), 438µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/70ns

테스트 조건

600V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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