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STK14CA8-NF35TR

STK14CA8-NF35TR

참조 용

부품 번호 STK14CA8-NF35TR
PNEDA 부품 번호 STK14CA8-NF35TR
설명 IC NVSRAM 1M PARALLEL 32SOIC
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,598
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 11 - 11월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STK14CA8-NF35TR 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STK14CA8-NF35TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
STK14CA8-NF35TR, STK14CA8-NF35TR 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,020.6 KB)
PDFSTK14CA8-RF45I 데이터 시트 표지
STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 2 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 3 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 4 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 5 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 6 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 7 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 8 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 9 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 10 STK14CA8-RF45I 데이터 시트 페이지 11

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STK14CA8-NF35TR 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지35ns
접근 시간35ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지32-SOIC

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메모리 포맷

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기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

667MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-TWBGA (9x13)

AT34C02-10TC

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제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

900ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

8-TSSOP

AS6C4008-55PCN

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제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.7V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

W987D2HBJX6E TR

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제조업체

Winbond Electronics

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPSDR

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

5.4ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-TFBGA

공급자 장치 패키지

90-VFBGA (8x13)

71V35761SA183BGGI

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

183MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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패키지 / 케이스

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