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STK14D88-RF25

STK14D88-RF25

참조 용

부품 번호 STK14D88-RF25
PNEDA 부품 번호 STK14D88-RF25
설명 IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP
제조업체 Cypress Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,554
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STK14D88-RF25 리소스

브랜드 Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STK14D88-RF25
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
STK14D88-RF25, STK14D88-RF25 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 870.91 KB)
PDFSTK14D88-RF45I 데이터 시트 표지
STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 2 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 3 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 4 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 5 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 6 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 7 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 8 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 9 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 10 STK14D88-RF45I 데이터 시트 페이지 11

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STK14D88-RF25 사양

제조업체Cypress Semiconductor Corp
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷NVSRAM
기술NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지25ns
접근 시간25ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)
공급자 장치 패키지48-SSOP

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시리즈

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메모리 유형

Volatile

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기술

SDRAM - DDR3L

메모리 크기

1Gb (64M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

20ns

전압-공급

1.283V ~ 1.45V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

96-TFBGA

공급자 장치 패키지

96-WBGA (9x13)

CY7C1460AV33-167AXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

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메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

36Mb (1M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

3.135V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x20)

7024S20J

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (4K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

84-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

84-PLCC (29.21x29.21)

MT40A4G4NRE-075E:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

16Gb (4G x 4)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.33GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x12)

CY62167G18-55BVXIT

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

1.65V ~ 2.2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

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