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STL150N3LLH5

STL150N3LLH5

참조 용

부품 번호 STL150N3LLH5
PNEDA 부품 번호 STL150N3LLH5
설명 MOSFET N-CH 30V 35A POWERFLAT5X6
제조업체 STMicroelectronics
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STL150N3LLH5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STL150N3LLH5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STL150N3LLH5, STL150N3LLH5 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 884.32 KB)
PDFSTL150N3LLH5 데이터 시트 표지
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STL150N3LLH5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ V
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)195A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.75mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs40nC @ 4.5V
Vgs (최대)±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5800pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)114W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerFlat™ (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

77A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

100nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3700pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

217W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

DMN2058U-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.7nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

281pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.13W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AO3435

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

745pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3L

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

APT50M65B2FLLG

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

67A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

141nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7010pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

694W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52.4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 26.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1630pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.75W (Ta), 121W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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