STL180N6F7
참조 용
| 부품 번호 | STL180N6F7 |
| PNEDA 부품 번호 | STL180N6F7 |
| 설명 | N-CHANNEL 60 V, 1.9 MOHM TYP., 1 |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,286 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STL180N6F7 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STL180N6F7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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STL180N6F7 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | STripFET™ F7 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 32A (Ta), 120A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 79.5nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4825pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 4.8W (Ta), 166W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PowerFlat™ (5x6) |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 π-MOSVII FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 525V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 35W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220SIS 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 27.3mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3191pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 53.6W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8W 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8W |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18A (Ta), 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 80nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 245W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
