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STL70N4LLF5

STL70N4LLF5

참조 용

부품 번호 STL70N4LLF5
PNEDA 부품 번호 STL70N4LLF5
설명 MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 5X6
제조업체 STMicroelectronics
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STL70N4LLF5 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STL70N4LLF5
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STL70N4LLF5, STL70N4LLF5 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 982.82 KB)
PDFSTL70N4LLF5 데이터 시트 표지
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STL70N4LLF5 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs (최대)±22V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1800pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)72W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerFlat™ (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1710pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

144W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI7483ADP-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.7mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

RFD14N05SM9A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 20V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

570pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

320mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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