STP100N6F7
참조 용
| 부품 번호 | STP100N6F7 |
| PNEDA 부품 번호 | STP100N6F7 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 14,964 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STP100N6F7 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STP100N6F7 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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STP100N6F7 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | STripFET™ F7 |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.6mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1980pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 53.9A (Ta), 195.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.23mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 82nC @ 10V Vgs (최대) +20V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3670pF @ 12.5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 5W (Ta), 65.7W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8S |
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