STP10N62K3
참조 용
| 부품 번호 | STP10N62K3 |
| PNEDA 부품 번호 | STP10N62K3 |
| 설명 | MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 19,584 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STP10N62K3 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STP10N62K3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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STP10N62K3 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | SuperMESH3™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 620V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 8.4A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 750mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1250pF @ 50V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 125W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 750mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 125pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 400mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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