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STP17NK40ZFP

STP17NK40ZFP

참조 용

부품 번호 STP17NK40ZFP
PNEDA 부품 번호 STP17NK40ZFP
설명 MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,148
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STP17NK40ZFP 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STP17NK40ZFP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STP17NK40ZFP, STP17NK40ZFP 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 397.35 KB)
PDFSTP17NK40Z 데이터 시트 표지
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STP17NK40ZFP 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs250mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs65nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)35W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220FP
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

105nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3320pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

294W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PN

패키지 / 케이스

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SI5406CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 6V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.3W (Ta), 5.7W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

IRFR4620TRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1710pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

144W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FQPF13N50C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2055pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

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드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

69A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

180nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4960pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

500W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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