STP200NF03
참조 용
| 부품 번호 | STP200NF03 |
| PNEDA 부품 번호 | STP200NF03 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 120A TO-220 |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,544 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 24 - 1월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STP200NF03 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STP200NF03 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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STP200NF03 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | STripFET™ III |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 120A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4950pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 300W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 75pF @ 18V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92-3 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19.6nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 735pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.1W (Ta), 2.98W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-TSOP 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 7.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 555pF @ 5V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOP 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1720pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 91W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-PAK (TO-252AA) 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 43mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1040pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.6W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 6-CPH 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
