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STP35NF10

STP35NF10

참조 용

부품 번호 STP35NF10
PNEDA 부품 번호 STP35NF10
설명 MOSFET N-CH 100V 40A TO-220
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 56,448
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STP35NF10 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STP35NF10
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STP35NF10, STP35NF10 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 413.99 KB)
PDFSTB35NF10T4 데이터 시트 표지
STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 2 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 3 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 4 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 5 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 6 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 7 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 8 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 9 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 10 STB35NF10T4 데이터 시트 페이지 11

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STP35NF10 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ II
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs55nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1550pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)115W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

관심을 가질만한 제품

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Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13pF @ 5V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-323

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

SIE830DF-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

WFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.2mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

115nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5500pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

10-PolarPAK® (S)

패키지 / 케이스

10-PolarPAK® (S)

AOI403

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V, 20V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.7mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3500pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-251A

패키지 / 케이스

TO-251-3 Stub Leads, IPak

TSM080N03EPQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

55A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

750pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

54W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-PDFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

BUK9M156-100EX

Nexperia

제조업체

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시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.4nC @ 5V

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

695pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

36W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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