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STPS30H60CW

STPS30H60CW

참조 용

부품 번호 STPS30H60CW
PNEDA 부품 번호 STPS30H60CW
설명 DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247-3
제조업체 STMicroelectronics
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STPS30H60CW 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STPS30H60CW
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
STPS30H60CW, STPS30H60CW 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 171.45 KB)
PDFSTPS30H60CG 데이터 시트 표지
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STPS30H60CW 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)60V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)15A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If660mV @ 15A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr60µA @ 60V
작동 온도-접합175°C (Max)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

460A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.2V @ 1800A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1600V

작동 온도-접합

-

장착 유형

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다이오드 구성

1 Pair Series Connection

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

70V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200mA (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 15mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

5ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 50V

작동 온도-접합

125°C (Max)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

200A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 100A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 50V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Twin Tower

공급자 장치 패키지

Twin Tower

V10KM120DUHM3/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

120V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

10A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

890mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

350µA @ 120V

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

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GeneSiC Semiconductor

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다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

160A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

880mV @ 160A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

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