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STS1DNC45

STS1DNC45

참조 용

부품 번호 STS1DNC45
PNEDA 부품 번호 STS1DNC45
설명 MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 2,664
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS1DNC45 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS1DNC45
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS1DNC45, STS1DNC45 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 300.66 KB)
PDFSTS1DNC45 데이터 시트 표지
STS1DNC45 데이터 시트 페이지 2 STS1DNC45 데이터 시트 페이지 3 STS1DNC45 데이터 시트 페이지 4 STS1DNC45 데이터 시트 페이지 5 STS1DNC45 데이터 시트 페이지 6 STS1DNC45 데이터 시트 페이지 7 STS1DNC45 데이터 시트 페이지 8

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STS1DNC45 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈SuperMESH™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)450V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)400mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds160pF @ 25V
전력-최대1.6W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.35nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

36pF @ 25V

전력-최대

445mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

SH8M3TB1

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A, 32A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1160pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

505pF @ 20V

전력-최대

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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