STS3C2F100
참조 용
| 부품 번호 | STS3C2F100 |
| PNEDA 부품 번호 | STS3C2F100 |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC |
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,086 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 7 - 4월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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STS3C2F100 리소스
| 브랜드 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | STS3C2F100 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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STS3C2F100 사양
| 제조업체 | STMicroelectronics |
| 시리즈 | STripFET™ |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 1.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 460pF @ 25V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 TrenchMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15.7nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2110pF @ 25V 전력-최대 53W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 5.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 32V 전력-최대 1.29W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 54mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 7.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 89A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 44.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 112nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6850pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
