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STS3C2F100

STS3C2F100

참조 용

부품 번호 STS3C2F100
PNEDA 부품 번호 STS3C2F100
설명 MOSFET N/P-CH 100V 3A 8SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 4,086
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 5 - 3월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS3C2F100 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS3C2F100
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS3C2F100, STS3C2F100 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 502.33 KB)
PDFSTS3C2F100 데이터 시트 표지
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STS3C2F100 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs145mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs20nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds460pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

89A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 44.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

112nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6850pF @ 25V

전력-최대

357W

작동 온도

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Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

54mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

NTMD6N04R2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

34mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 32V

전력-최대

1.29W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMT3020LSD-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

393pF @ 15V

전력-최대

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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