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STT3PF30L

STT3PF30L

참조 용

부품 번호 STT3PF30L
PNEDA 부품 번호 STT3PF30L
설명 MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
제조업체 STMicroelectronics
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STT3PF30L 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STT3PF30L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STT3PF30L, STT3PF30L 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 252.69 KB)
PDFSTT3PF30L 데이터 시트 표지
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STT3PF30L 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ II
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs165mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7nC @ 4.5V
Vgs (최대)±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds420pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.6W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SOT-23-6
패키지 / 케이스SOT-23-6

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

41nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

5.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PolarPak®

패키지 / 케이스

PolarPak®

STU9HN65M2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™ M2

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

820mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

325pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

ZVN4310GTC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.67A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

MCH6431-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

280pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-MCPH

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IRFP21N60L

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

320mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

330W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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패키지 / 케이스

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