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STTA512B

STTA512B

참조 용

부품 번호 STTA512B
PNEDA 부품 번호 STTA512B
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DPAK
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 3,186
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 3 - 3월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STTA512B 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STTA512B
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
STTA512B, STTA512B 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 242.8 KB)
PDFSTTA512B 데이터 시트 표지
STTA512B 데이터 시트 페이지 2 STTA512B 데이터 시트 페이지 3 STTA512B 데이터 시트 페이지 4 STTA512B 데이터 시트 페이지 5 STTA512B 데이터 시트 페이지 6 STTA512B 데이터 시트 페이지 7 STTA512B 데이터 시트 페이지 8 STTA512B 데이터 시트 페이지 9 STTA512B 데이터 시트 페이지 10

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STTA512B 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈TURBOSWITCH™
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)5A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.2V @ 5A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)95ns
전류-역방향 누설 @ Vr100µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지DPAK
작동 온도-접합150°C (Max)

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Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

50ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

20pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

GL41K-E3/97

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

SUPERECTIFIER®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

8pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AB

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

IDH10G65C5XKSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

10A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 10A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

180µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

300pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

PG-TO220-2-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

JANTX1N1190R

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/297

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 110A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AB, DO-5, Stud

공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

RB421DT146

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

40V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

550mV @ 100mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

6pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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