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STTH8S12D

STTH8S12D

참조 용

부품 번호 STTH8S12D
PNEDA 부품 번호 STTH8S12D
설명 DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 18,012
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STTH8S12D 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STTH8S12D
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
STTH8S12D, STTH8S12D 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 229.28 KB)
PDFSTTH8S12D 데이터 시트 표지
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  • STTH8S12D Distributor

STTH8S12D 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.7V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)45ns
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지TO-220AC
작동 온도-접합175°C (Max)

관심을 가질만한 제품

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제조업체

IXYS

시리즈

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

180V

전류-평균 정류 (Io)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.3mA @ 180V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

510mV @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.4mA @ 35V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-65°C ~ 125°C

HS3K M6G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 3A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

50pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N6081US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 37.7A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

30ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, G

공급자 장치 패키지

G-MELF (D-5C)

작동 온도-접합

-65°C ~ 155°C

S70QR

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io)

70A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 70A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

DO-5

작동 온도-접합

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