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SUA70090E-E3

SUA70090E-E3

참조 용

부품 번호 SUA70090E-E3
PNEDA 부품 번호 SUA70090E-E3
설명 MOSFET N-CH 100V 42.8A TO220 FPK
제조업체 Vishay Siliconix
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SUA70090E-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SUA70090E-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SUA70090E-E3, SUA70090E-E3 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 182.16 KB)
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SUA70090E-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈ThunderFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)42.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)7.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs50nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1950pF @ 50V
FET 기능-
전력 손실 (최대)35.7W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220 Full Pack
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

299mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1645pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

250W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D2PAK

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Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20.6A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2962pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerDI5060-8

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

FDS7082N3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

53nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2271pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SO

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IMW120R350M1HXKSA1

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Infineon Technologies

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1.2kV

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V, 18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

455mOhm @ 2A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.7V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.3nC @ 18V

Vgs (최대)

+23V, -7V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

182pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

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공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

90A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5640pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

35W (Tc)

작동 온도

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장착 유형

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