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SUP45N03-13L-E3

SUP45N03-13L-E3

참조 용

부품 번호 SUP45N03-13L-E3
PNEDA 부품 번호 SUP45N03-13L-E3
설명 MOSFET N-CH 30V 45A TO220AB
제조업체 Vishay Siliconix
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SUP45N03-13L-E3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SUP45N03-13L-E3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
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  • SUP45N03-13L-E3 Distributor

SUP45N03-13L-E3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs13mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs70nC @ 10V
Vgs (최대)±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2730pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)88W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220AB
패키지 / 케이스TO-220-3

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시리즈

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.2A (Ta), 70A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

45nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 32V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A (Ta), 19A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1165pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 83W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2710pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta)

작동 온도

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 250µA

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34nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

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3025pF @ 30V

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192W (Tc)

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공급자 장치 패키지

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Vgs (최대)

±20V

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전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

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TO-220-3

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