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SURS8360BT3G

SURS8360BT3G

참조 용

부품 번호 SURS8360BT3G
PNEDA 부품 번호 SURS8360BT3G
설명 DIODE GEN PURP 600V 3A SMB
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 55,878
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 11 - 4월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SURS8360BT3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SURS8360BT3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SURS8360BT3G, SURS8360BT3G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 126.14 KB)
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SURS8360BT3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)3A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr30µA @ 300V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지SMB
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

SMC (DO-214AB)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

R7S01808XX

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1800V

전류-평균 정류 (Io)

800A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 1500A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

10µs

전류-역방향 누설 @ Vr

50mA @ 1800V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

DO-200AA, R62

작동 온도-접합

-

VS-305UR160

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1600V

전류-평균 정류 (Io)

330A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.46V @ 942A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-205AB, DO-9, Stud

공급자 장치 패키지

DO-205AB, DO-9

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

RGP10D-M3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

CRS20I30B(TE85L,QM

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

2A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 2A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

82pF @ 10V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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