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SURS8360T3G

SURS8360T3G

참조 용

부품 번호 SURS8360T3G
PNEDA 부품 번호 SURS8360T3G
설명 DIODE GEN PURP 600V 3A SMC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 20,430
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SURS8360T3G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SURS8360T3G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
SURS8360T3G, SURS8360T3G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 222.23 KB)
PDFSURS8360T3G 데이터 시트 표지
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SURS8360T3G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.25V @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)75ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F-
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지SMC
작동 온도-접합-65°C ~ 175°C

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Central Semiconductor Corp

제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

180V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 180V

커패시턴스 @ Vr, F

4pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

D820N26TXPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

2600V

전류-평균 정류 (Io)

820A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 750A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

40mA @ 2600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

DO-200AA, A-PUK

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-40°C ~ 180°C

1F7-TP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1000V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

R-1, Axial

공급자 장치 패키지

R-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SB550-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

650mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

MBR3545

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io)

35A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 35A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1.5mA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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