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SZBZX84C4V7ET1G

SZBZX84C4V7ET1G

참조 용

부품 번호 SZBZX84C4V7ET1G
PNEDA 부품 번호 SZBZX84C4V7ET1G
설명 DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.6674
500 ---------- $0.6361
1,000 ---------- $0.6048
2,500 ---------- $0.5735
5,000 ---------- $0.5475
10,000 ---------- $0.5214
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SZBZX84C4V7ET1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SZBZX84C4V7ET1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
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SZBZX84C4V7ET1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)4.7V
공차±6%
전력-최대225mW
임피던스 (최대) (Zzt)80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3 (TO-236)

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43V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

93 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 33V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

7.5V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

125 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80

공급자 장치 패키지

SOD-80

1N5987C

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

95 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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