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SZMMSZ4685T1G

SZMMSZ4685T1G

참조 용

부품 번호 SZMMSZ4685T1G
PNEDA 부품 번호 SZMMSZ4685T1G
설명 DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $1.7618
250 ---------- $1.6792
500 ---------- $1.5966
1,000 ---------- $1.5140
2,500 ---------- $1.4452
5,000 ---------- $1.3764
재고 있음 2,238
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SZMMSZ4685T1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SZMMSZ4685T1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
SZMMSZ4685T1G, SZMMSZ4685T1G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 189.8 KB)
PDFMMSZ4717T1 데이터 시트 표지
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SZMMSZ4685T1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)3.6V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr7.5µA @ 2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

관심을 가질만한 제품

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제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.05V

공차

±6.1%

전력-최대

350mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-123

공급자 장치 패키지

SOD-123

1PMT4623/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWERMITE®

전압-제너 (Nom) (Vz)

4.3V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

1.65 kOhms

전류-역방향 누설 @ Vr

4µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216

JANTXV1N4114-1

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/435

전압-제너 (Nom) (Vz)

20V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

150 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 15.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

JANTX1N6317US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

BZD27C51PHRUG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5.88%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

60 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 39V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

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DIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB

B0520LW-7-F

B0520LW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

TAJB107M006RNJ

TAJB107M006RNJ

CAP TANT 100UF 20% 6.3V 1411