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SZMMSZ5239BT1G

SZMMSZ5239BT1G

참조 용

부품 번호 SZMMSZ5239BT1G
PNEDA 부품 번호 SZMMSZ5239BT1G
설명 DIODE ZENER 9.1V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SZMMSZ5239BT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SZMMSZ5239BT1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
SZMMSZ5239BT1G, SZMMSZ5239BT1G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 229.54 KB)
PDFMMSZ5256CT1G 데이터 시트 표지
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SZMMSZ5239BT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr3µA @ 7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

관심을 가질만한 제품

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Nexperia

제조업체

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시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

±5%

전력-최대

400mW

임피던스 (최대) (Zzt)

80 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 700mV

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

ALF2

MM5Z9V1ST1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

15 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-79, SOD-523

공급자 장치 패키지

SOD-523

1N4730CP/TR8

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.9V

공차

±2%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

9 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-204AL (DO-41)

JAN1N6342US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

SMZJ3797BHM3/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

전압-제너 (Nom) (Vz)

-

공차

-

전력-최대

-

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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