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SZMMSZ5257BT1G

SZMMSZ5257BT1G

참조 용

부품 번호 SZMMSZ5257BT1G
PNEDA 부품 번호 SZMMSZ5257BT1G
설명 DIODE ZENER 33V 500MW SOD123
제조업체 ON Semiconductor
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SZMMSZ5257BT1G 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SZMMSZ5257BT1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
SZMMSZ5257BT1G, SZMMSZ5257BT1G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 229.54 KB)
PDFMMSZ5256CT1G 데이터 시트 표지
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SZMMSZ5257BT1G 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz)33V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)58 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 25V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If900mV @ 10mA
작동 온도-55°C ~ 150°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOD-123
공급자 장치 패키지SOD-123

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

105 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 34V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

200°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

MMBZ5233C-G3-08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

6V

공차

±2%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 3.5V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

9.1V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

200 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

0°C ~ 75°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

DO-35

TZS4681-GS08

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.5V @ 100mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-80 Variant

공급자 장치 패키지

SOD-80 QuadroMELF

SMBJ5918A/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±10%

전력-최대

2W

임피던스 (최대) (Zzt)

4 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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