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TC4427AEUA

TC4427AEUA

참조 용

부품 번호 TC4427AEUA
PNEDA 부품 번호 TC4427AEUA
설명 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8MSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
재고 있음 6,660
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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TC4427AEUA 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC4427AEUA
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버

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TC4427AEUA 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 18V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.4V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.5A, 1.5A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)25ns, 25ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지8-MSOP

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Infineon Technologies

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드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.9A, 2.3A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

14-SOIC

MCP14E9T-E/MF

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

3A, 3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

14ns, 17ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN-S (6x5)

NCV5701BDR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT

전압-공급

20V

논리 전압-VIL, VIH

0.75V, 4.3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

20mA, 15mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

9.2ns, 7.9ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

LM5105SDX/NOPB

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

8V ~ 14V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.8A, 1.8A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

118V

상승 / 하강 시간 (일반)

15ns, 15ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-WSON (4x4)

ISL6605IBZ

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

논리 전압-VIL, VIH

1V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

33V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 8ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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