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TC7W00FKTE85LF

TC7W00FKTE85LF

참조 용

부품 번호 TC7W00FKTE85LF
PNEDA 부품 번호 TC7W00FKTE85LF
설명 IC GATE NAND 2CH 2-INP US8
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TC7W00FKTE85LF 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TC7W00FKTE85LF
분류반도체로직 IC논리-게이트 및 인버터
데이터 시트
TC7W00FKTE85LF, TC7W00FKTE85LF 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 214.25 KB)
PDFTC7W00FKTE85LF 데이터 시트 표지
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TC7W00FKTE85LF 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈TC7W
논리 유형NAND Gate
회로 수2
입력 수2
특징-
전압-공급2V ~ 6V
전류-대기 (최대)1µA
전류-출력 높음, 낮음5.2mA, 5.2mA
논리 레벨-낮음0.5V ~ 1.8V
논리 레벨-높음1.5V ~ 4.2V
V, 최대 CL에서 최대 전파 지연13ns @ 6V, 50pF
작동 온도-40°C ~ 85°C
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지US8
패키지 / 케이스8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)

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전압-공급

2V ~ 6V

전류-대기 (최대)

2µA

전류-출력 높음, 낮음

5.2mA, 5.2mA

논리 레벨-낮음

0.1V ~ 0.26V

논리 레벨-높음

1.9V ~ 5.9V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

13ns @ 6V, 50pF

작동 온도

-40°C ~ 85°C

장착 유형

Surface Mount

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전류-출력 높음, 낮음

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논리 레벨-낮음

0.3V

논리 레벨-높음

1.7V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

7ns @ 5V, 50pF

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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논리 유형

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회로 수

4

입력 수

2

특징

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

-

전류-출력 높음, 낮음

1mA, 20mA

논리 레벨-낮음

0.8V

논리 레벨-높음

2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

5.5ns @ 5V, 50pF

작동 온도

0°C ~ 70°C

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

14-SOIC

패키지 / 케이스

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논리 유형

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회로 수

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-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

전류-대기 (최대)

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전류-출력 높음, 낮음

8mA, 8mA

논리 레벨-낮음

0.8V

논리 레벨-높음

2V

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

10ns @ 5V, 50pF

작동 온도

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-

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-

V, 최대 CL에서 최대 전파 지연

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