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TCET4100G

TCET4100G

참조 용

부품 번호 TCET4100G
PNEDA 부품 번호 TCET4100G
설명 OPTOISOLATR 4CH DARL 16DIP
제조업체 Vishay Semiconductor Opto Division
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TCET4100G 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Opto Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TCET4100G
분류반도체절연체광절 연기-트랜지스터, 광전지 출력
데이터 시트
TCET4100G, TCET4100G 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 140.6 KB)
PDFTCET4100G 데이터 시트 표지
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  • Vishay Semiconductor Opto Division Distributor
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  • TCET4100G Distributor

TCET4100G 사양

제조업체Vishay Semiconductor Opto Division
시리즈-
채널 수4
전압-절연-
전류 전송 비율 (최소)-
전류 전송 비율 (최대)-
켜기 / 끄기 시간 (일반)-
상승 / 하강 시간 (일반)60µs, 60µs
입력 유형DC
출력 유형Darlington
전압-출력 (최대)70V
전류-출력 / 채널-
전압-순방향 (Vf) (통상)-
전류-DC 순방향 (If) (최대)10mA
Vce 포화 (최대)300mV
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스16-DIP (0.400", 10.16mm)
공급자 장치 패키지16-DIP

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전류 전송 비율 (최대)

-

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

50µs, 50µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Darlington with Base

전압-출력 (최대)

60V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.2V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

1V

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

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Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

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채널 수

1

전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

160% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

320% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.25V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

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제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

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채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

80% @ 5mA

전류 전송 비율 (최대)

400% @ 5mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

3µs, 5µs

입력 유형

AC, DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

80V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.17V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

80mA

Vce 포화 (최대)

300mV

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

4-SMD

CNY117F-1X006

Vishay Semiconductor Opto Division

제조업체

Vishay Semiconductor Opto Division

시리즈

-

채널 수

1

전압-절연

5000Vrms

전류 전송 비율 (최소)

40% @ 10mA

전류 전송 비율 (최대)

80% @ 10mA

켜기 / 끄기 시간 (일반)

3µs, 2.3µs

상승 / 하강 시간 (일반)

2µs, 2µs

입력 유형

DC

출력 유형

Transistor

전압-출력 (최대)

70V

전류-출력 / 채널

50mA

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.39V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

400mV

작동 온도

-55°C ~ 110°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

6-DIP (0.400", 10.16mm)

공급자 장치 패키지

6-DIP

H11F33S

ON Semiconductor

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ON Semiconductor

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전압-절연

5300Vrms

전류 전송 비율 (최소)

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전류 전송 비율 (최대)

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켜기 / 끄기 시간 (일반)

25µs, 25µs (Max)

상승 / 하강 시간 (일반)

-

입력 유형

DC

출력 유형

MOSFET

전압-출력 (최대)

15V

전류-출력 / 채널

-

전압-순방향 (Vf) (통상)

1.3V

전류-DC 순방향 (If) (최대)

60mA

Vce 포화 (최대)

-

작동 온도

-55°C ~ 100°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

6-SMD

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