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TD351IN

TD351IN

참조 용

부품 번호 TD351IN
PNEDA 부품 번호 TD351IN
설명 IC DRIVER GATE IGBT/MOSFET 8DIP
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 8,208
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 25 - 1월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TD351IN 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TD351IN
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
TD351IN, TD351IN 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 243.37 KB)
PDFTD351IN 데이터 시트 표지
TD351IN 데이터 시트 페이지 2 TD351IN 데이터 시트 페이지 3 TD351IN 데이터 시트 페이지 4 TD351IN 데이터 시트 페이지 5 TD351IN 데이터 시트 페이지 6 TD351IN 데이터 시트 페이지 7 TD351IN 데이터 시트 페이지 8 TD351IN 데이터 시트 페이지 9 TD351IN 데이터 시트 페이지 10 TD351IN 데이터 시트 페이지 11

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TD351IN 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급12V ~ 26V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 4.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.3A, 1.7A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)100ns, 100ns (Max)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스8-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지8-DIP

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제조업체

Power Integrations

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Single

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

0V ~ 16V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

MIC5021YM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

High-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 36V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

400ns, 400ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

UC3707QG3

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

5V ~ 40V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.5A, 1.5A

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

40ns, 40ns

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

20-PLCC (9x9)

IR2011PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.7V, 2.2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1A, 1A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

200V

상승 / 하강 시간 (일반)

35ns, 20ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

MIC4421ACM-TR

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

9A, 9A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

20ns, 24ns

작동 온도

0°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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