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TD352IDT

TD352IDT

참조 용

부품 번호 TD352IDT
PNEDA 부품 번호 TD352IDT
설명 IC IGBT/MOSFET DRIVER ADV 8-SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
재고 있음 145,200
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 8 - 2월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TD352IDT 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TD352IDT
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
TD352IDT, TD352IDT 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 235.45 KB)
PDFTD352IN 데이터 시트 표지
TD352IN 데이터 시트 페이지 2 TD352IN 데이터 시트 페이지 3 TD352IN 데이터 시트 페이지 4 TD352IN 데이터 시트 페이지 5 TD352IN 데이터 시트 페이지 6 TD352IN 데이터 시트 페이지 7 TD352IN 데이터 시트 페이지 8 TD352IN 데이터 시트 페이지 9 TD352IN 데이터 시트 페이지 10 TD352IN 데이터 시트 페이지 11

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TD352IDT 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
구동 구성High-Side
채널 유형Single
드라이버 수1
게이트 유형IGBT, N-Channel MOSFET
전압-공급12V ~ 26V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 4.2V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)1.3A, 1.7A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)100ns, 100ns (Max)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Renesas Electronics America Inc.

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드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2.4V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2A, 2A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7.5ns, 10ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

12V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 3V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

200mA, 350mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

125ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-LCC (J-Lead), 32 Leads

공급자 장치 패키지

44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)

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Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

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Power Integrations

제조업체

Power Integrations

시리즈

SCALE™-2

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

14.5V ~ 15.5V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

20A, 20A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

1700V

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

L6389EDTR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

17V (Max)

논리 전압-VIL, VIH

1.1V, 1.8V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

400mA, 650mA

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

70ns, 40ns

작동 온도

-45°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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