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TE28F640P30T85A

TE28F640P30T85A

참조 용

부품 번호 TE28F640P30T85A
PNEDA 부품 번호 TE28F640P30T85A
설명 IC FLASH 64M PARALLEL 56TSOP
제조업체 Micron Technology Inc.
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TE28F640P30T85A 리소스

브랜드 Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TE28F640P30T85A
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
TE28F640P30T85A, TE28F640P30T85A 데이터 시트 (총 페이지: 97, 크기: 1,227.85 KB)
PDFPC48F4400P0VB02E 데이터 시트 표지
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TE28F640P30T85A 사양

제조업체Micron Technology Inc.
시리즈StrataFlash™
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH - NOR
메모리 크기64Mb (4M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수40MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지85ns
접근 시간85ns
전압-공급1.7V ~ 2V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지56-TSOP

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (256 x 4)

메모리 인터페이스

1-Wire®

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

2µs

전압-공급

3V ~ 5.25V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)

공급자 장치 패키지

6-TSOC

7005L20PFI8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Dual Port, Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LQFP

공급자 장치 패키지

64-TQFP (14x14)

BR24G08-3A

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

8Kb (1K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-DIP-T

MT53E384M32D2DS-053 AAT:E

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

12Gb (384M x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1.866GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

0.6V, 1.1V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IS43TR82560B-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR3

메모리 크기

2Gb (256M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

800MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

20ns

전압-공급

1.425V ~ 1.575V

작동 온도

-40°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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